Инновации бизнесу. Полупроводниковые инжекционные лазерные излучатели

ПОДРОБНАЯ ИНФОРМАЦИЯ

Заявку на получение дополнительной информации по этому проекту можно заполнить здесь.

Номер

20-026-03

Наименование проекта

Полупроводниковые инжекционные лазерные излучатели

Назначение

Использование в качестве малогабаритных,высокоэффективных источников когерентного оптического излучения.

Рекомендуемая область применения

Спектроскопия, оптическая память, лазерные принтеры, устройства автоматики, диагностика и медицина, аппаратура цифрового воспроизведения видео-и звукозаписи

Описание

Результат выполнения конструкторской разработки.

Полупроводниковые лазерные инжекционные излучатели изготовлены на основе соединенийalgaas/gaas,ingaalas/gaas,ingaasp/gaas.

Отличительные особенности: оригинальный малогабаритный корпус, удобно сочленяемый с полосковыми СВЧ -линиями и обеспечивающий высокую точность ориентации кристалла относительно посадочных отверстий (ИЛПН-102, ИЛПН-205, ИЛПН-210, ИЛПН-2П-10,20…); конструкция со встроенным микрохолодильником дает возможность перестройки длины волны за счет изменения температуры, либо стабилизации спектральных характеристик и мощности излучения при изменении температуры окружающей среды от -60 до +60 град С; круглый корпус с посадочным диаметром 9 мм, унифицированный с корпусомsot-148 ведущих зарубежных фирм (ИЛПН-2-1-1, ИЛПН-2-1-2, ИЛПН-2-1-3); МОСГЭ и ЖФЭ процессы выращивания лазерных гетероструктур. Применение МОСГЭ дало возможность выращивать напряженные квантоворазмерные слои и повысить однородность гетероструктур, что позволило расширить диапазон длин волн до 1,6 мкм и производить интегральные линейки диодных лазеров; использование технологии зарощенных мезаструктур позволило реализовать малые размеры излучающей области (2,5х1,5 мкм) и исключить астигматизм (ИЛПН-210-1, ИЛПН-210-2).