ИННОВАЦИИ БИЗНЕСУ

Данный материал является результатом научно-исследовательской работы ВГТУ.

Разработанный способ обеспечивает защиту от коррозии приборов, содержащих контакты алюминий-золото, следующим образом:

Перед герметизацией полупроводниковых приборов и интегральных схем контакты обрабатывают ингибитором следующего состава, вес %:

гексаметиленимин 60-70

метанитробензоатгексаметиленимин 15-20

триэтиламин 15-20

Рассмотрим данный способ на примере сборки транзистора 2Т312. На ножку транзистора по известной технологии наносят гальваническим путем слой золота толщиной 2-3 мкм, а на контактных площадках полупроводниковых кристаллов формируют алюминиевую металлизацию толщиной 1-1,2 мкм.

Затем кристаллы методом эвтектической пайки присоединяют к ножке. Разводку алюминиевой проволокой марки АК09ПМ30 Ж 30 мкм производят термокомпрессионной сваркой при режимах, обеспечивающих получение максимальной прочности сварных соединений.

Далее ножки транзисторов загружают в эксикатор и обрабатывают ингибитором предлагаемого состава. После обработки проводят герметизацию транзисторов методом холодной сварки.

Эффективность коррозионной стойкости оценивается по времени полного разрушения контактов алюминий-золото, фиксируемого по разрыву электрической цели, в которую они были включены.

В результате, среднее время разрушения контактов у образцов не обработанных ингибитором составляет-22 минуты, у обработанных гексаметиленимином - 61 минута, а обработанные по предлагаемому способу - 143 минуты.

Таким образом, применение данного способа позволяет существенно повысить коррозионную стойкость приборов, содержащих контакты алюминий-золото.