ИННОВАЦИИ БИЗНЕСУ

Описание к ИЛ № 29-201-00

Результат выполнения конструкторской разработки.

Автоматизированная установка имеет современную систему управления, магнитожидкостные уплотнения, может быть оснащена установкой для магнитного воздействия на расплав. Процесс выращивания осуществляется в одиночном и полунепрерывным режимах. В полупроводниковом режиме можно выращивать до трех кристаллов из одного тигля с промежуточной подпиткой расплава. Диаметр рабочей камеры 1000 мм. Выращенные кристаллы накапливаются в специальной кассете, расположенной в приемной камере. В качестве материала подпитки расплава используются поликристаллические стержни диаметром до 80 мм и длиной до 1000 мм, гранулированный или кусковой кремний. Охлаждаемые рабочие камеры установки (плавильная и приемная) изготовлены из нержавеющей стали с применением электронно-лучевой сварки, что обеспечивает их надежность, долговечность и высокую вакуумную чистоту рабочих полостей. С помощью гидромеханических устройств рабочая камера может раскрываться по трем плоскостям разъемов и отдельные элементы камер разводятся для обеспечения загрузки материалов, выгрузки готовых кристаллов и очистки. Цифровой управляющий комплекс (ЦУК) установки позволяет полностью автоматизировать процесс выращивания кристалла и сплавления подпитки. При необходимости оператор может включаться в процесс, принимая управление на себя, с последующей передачей его комплексу.

ЦУК оснащен датчиками контроля диаметра расплава и ширины мениска, уровня расплава, температуры расплава в заданных точках с высокой степенью разрешения и точности, осуществляет документирование рабочих параметров и действий оператора, обеспечивает взаимодействие с оператором в диалоговом режиме. Информация о текущем состоянии установки отображается на цветном экране видеомонитора в виде мнемосхем графиков, числовых значений и текстовых сообщений. ЦУК представляет оператору средство для загрузки и корректировки технологических программ полностью цикла выращивания кристалла от вакуумирования установки и расплавления шихты до остановки процесса после отрыва кристалла от расплава и охлаждения установки.