Инновации бизнесу. Тонкие пленки сульфидов свинца, кадмия, меди и гетероструктуры на их основе

ПОДРОБНАЯ ИНФОРМАЦИЯ

Заявку на получение дополнительной информации по этому проекту можно заполнить здесь.

Номер

20-403-99

Наименование проекта

Тонкие пленки сульфидов свинца, кадмия, меди и гетероструктуры на их основе

Назначение

Создание активных элементов электронных и оптоэлектронных устройств (фотосопротивлений, тонкопленочных транзисторов, фотодетекторных устройсттв, электролюминесцентных экранов и т. д.).

Рекомендуемая область применения

Экологиически чистые источники энергии (солнечные батареи), приборы ночного видения, фотоэкспонометры.

Описание

Тонкие кристаллические пленки толщиной 1000…10000 А и их гетероструктуры получают плазмохимическим разложением диэтил-дитиокарбаматов соответствующих металлов при низких температурах синтеза 100…300 град С на различные подложки (si,in,qaas, плавленый кварц, сапфир и т. д.). Материал подложки определяет структурный тип синтезируемых пленок; возможно образование гексагональной поликристаллической, кубической поликристаллической или кубической монокристаллической фаз сульфидов кадмия, меди и свинца.

Преимущества перед известными аналогами

Использование тонких пленок в приборах сокращает их размеры, массу, повышает надежность.

Стадия освоения

Внедрено в производство

Результаты испытаний

Соответствует технической характеристике изделия (устройства)

Технико-экономический эффект

Снижение материалоемкости

Возможность передачи за рубеж

Возможна передача за рубеж

Дата поступления материала

29.11.1999